特許
J-GLOBAL ID：200903093372554006
半導体製造装置およびそれに用いる終点判定方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-273350
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139082
出願日： 1994年11月08日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】 インプロセスで膜厚を管理する半導体製造装置およびそれに用いる終点判定方法を提供する。【構成】 外気と遮断された処理室1と、処理室1内でウェハ2を加熱する加熱源3と、ウェハ2を処理室1の内外部へ搬送する被処理物搬送機構4と、ウェハ2を載置する支持台5と、ウェハ2から輻射された赤外光6のうちの所定範囲の周波数の赤外光6だけを透過するフィルタ7と、フィルタ7を透過した赤外光6の強度を計測する赤外強度検出器8と、加熱源3の電源のON・OFFおよび処理室1内の雰囲気の置換を制御する自動終点判定手段9と、自動終点判定手段9からの情報に基づいて所定の弁11の開閉を駆動するプロセスガス制御部10とから構成され、予め入力された酸化膜の膜厚と赤外強度との関係を表す膜厚データに基づいて酸化膜形成の終点判定を行う。
請求項（抜粋）：
加熱源により被処理物を加熱して該被処理物に酸化膜を形成する半導体製造装置であって、外気と遮断された処理室と、前記被処理物を加熱する加熱源と、前記被処理物の近傍に設置されかつ前記被処理物から輻射された赤外光のうちの所定範囲の周波数の赤外光だけを透過するフィルタと、前記フィルタを透過した赤外光の強度を計測する赤外強度検出器と、予め入力された前記酸化膜の膜厚と赤外強度との関係を表す膜厚データに基づいて前記酸化膜形成の終点判定を行いかつ終点判定後に前記加熱源の電源をOFF状態にする自動終点判定手段とからなることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
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