特許

J-GLOBAL ID：200903093372944831

半導体装置

発明者： 小野 静一 ,  徳重 利洋智 ,  高井 信行 ,  篠木 裕之
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-007296
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196408
出願日： 2000年01月17日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】チップサイズパッケージに用いられるポスト、更にこの上に形成される導電ボールとの接合性を向上し、更には導電ボールを光沢にする。【解決手段】 配線層16が露出する第2の開口部18を形成した後、第2のシード層19、このシード層19をメッキ電極として半田ポスト7を形成する。そしてポスト7と導電ボール8を実質同一組成にして一体化させる。また導電ボールの融点を若干下げるようにロウ材の組成を調整することで、導電ボールの光沢性を上げる。

請求項（抜粋）：

半導体チップの電極に接続されるメタルポストと、前記メタルポストの周囲を覆う樹脂と、前記メタルポストに接続される第1のロウ材から成る導電ボールとを有する半導体装置に於いて、前記メタルポストと前記導電ボールとの間に、前記第1のロウ材の融点よりも高い第2のロウ材を設けた事を特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 ,  H01L 23/12

FI (3件)：

H01L 21/92 602 F ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 23/12 L