特許
J-GLOBAL ID：200903093375016196
薄膜EL素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三澤 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-179461
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029079
出願日： 1991年07月19日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 輝度が高くて十分な発光効率が得られる薄膜EL素子及びその製造方法を提供するようにする。【構成】 フッ素を添加したアモルファス水素化炭化珪素(α-SiC:H,F)薄膜17を発光層として用いる。この薄膜17は、水素化珪素とフッ化炭素の混合ガス、またはフッ化珪素と炭化水素の混合ガスを主たる原料として用い、グロー放電分解法によって形成する。
請求項（抜粋）：
フッ素が添加されたアモルファス水素化炭化珪素薄膜を発光層として用い、前記薄膜中のフッ素の濃度X(atm%)を、5乃至50の範囲に設定したことを特徴とする薄膜EL素子。
IPC (4件)：
H05B 33/14
, C09K 11/00
, C09K 11/65
, H05B 33/10
