ホールパターンの形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-042096
公開番号（公開出願番号）：特開2002-244296
出願日： 2001年02月19日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】化学増幅型レジスト材料からなる感光性材料膜にArFエキシマレーザを照射して、微細で且つ高アスペクト比のホールパターンを形成する場合に、被エッチング膜に形成されるホールの平面形状が円形になると共にホールの直径が所定値よりもあまり大きくならないようにする。【解決手段】半導体基板上10に堆積された被エッチング膜11の上に、ノルボルネン誘導体と無水マレイン酸との共重合体に保護基としてアダマンチル基が結合していると共にアルカリ難溶性であるベースポリマーと、オニウム塩化合物を含む酸発生剤とを有する感光性材料を塗布して感光性材料膜12を形成する。感光性材料膜12にフォトマスクを介してArFエキシマレーザを照射して、ホール12aを形成する。被エッチング膜11に対して、ホールパターン化された感光性材料膜12をエッチングマスクとして、1×1010/cm3 以上のプラズマ密度を有するプラズマを用いてプラズマエッチングを行なうことにより、被エッチング膜11にホール11aを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に堆積された被エッチング膜の上に、主鎖にシクロオロフィンを含み且つ前記主鎖に置換又は無置換の多環式アルキル基が結合している重合体よりなるアルカリ難溶性のベースポリマーと、オニウム塩化合物を含む酸発生剤とを有する感光性材料を塗布して感光性材料膜を形成する工程と、前記感光性材料膜にフォトマスクを介してArFエキシマレーザを照射することにより、ホールパターン化された感光性材料膜を形成する工程と、前記被エッチング膜に対して、ホールパターン化された前記感光性材料膜をエッチングマスクとして、1×1010/cm3 以上のプラズマ密度を有するプラズマを用いてプラズマエッチングを行なうことにより、前記被エッチング膜からなるホールパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするホールパターンの形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/039 601 , C08K 5/00 , C08L101/02 , G03F 7/40 521 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/039 601 , C08K 5/00 , C08L101/02 , G03F 7/40 521 , H01L 21/30 502 R

Fターム (24件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB41 , 2H025FA41 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096EA05 , 2H096HA23 , 4J002BH021 , 4J002BK001 , 4J002EB006 , 4J002EN136 , 4J002EU046 , 4J002EV296 , 4J002EW176 , 4J002FD206 , 4J002GP03

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