特許

J-GLOBAL ID：200903093381817125

磁気メモリ装置

発明者： 白井 英二
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-320637
公開番号（公開出願番号）：特開2003-123464
出願日： 2001年10月18日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】 データ書き込み時に書き込み線及びビット線に流れる電流に発生するオーバーシュートを抑圧する。【解決手段】 データ書き込み時に、書き込み線WWL1〜WWL3に接続されたスイッチ素子を連続的に切り替える場合や、ビット線BL1〜BL3に接続されたスイッチ素子を連続的に切り替える場合、スイッチ素子それぞれがオンになる切り替え前後の期間をオーバーラップさせる。更に、書き込み線WWL1〜WWL3に接続されたスイッチ素子またはダミー配線WWL0に接続されたスイッチ素子のいずれかが常にオンされ、及び/または、ビット線BL1〜BL3に接続されたスイッチ素子またはダミー配線BL0に接続されたスイッチ素子のいずれかが常にオンされていることとし、スイッチ素子の切り替え前後において、スイッチ素子それぞれがオンになる切り替え前後の期間をオーバーラップさせる。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗素子を具備し、マトリックス状に配置された複数のメモリセルと、前記メモリセルに接続された複数の書き込み線と、前記複数の書き込み線と交差して配置され、前記メモリセルに接続された複数のビット線と、前記複数の書き込み線に電流を供給するための第1のスイッチ素子の群と、前記複数のビット線に電流を供給するための第2のスイッチの群とを有し、前記磁気抵抗素子へのデータ書き込み時に、該当する書き込み線及びビット線が接続された前記第1及び第2のスイッチ素子をそれぞれオンにして該書き込み線及び該ビット線に電流を流し、該電流によりそれぞれ誘起された磁界を前記磁気抵抗素子に印加する磁気メモリ装置において、複数の前記磁気抵抗素子に順次データを書き込む時に、前記複数の書き込み線に接続された前記第1のスイッチ素子或いは、前記複数のビット線に接続された前記第2のスイッチ素子を順次切り替える場合、前記第1或いは第2のスイッチ素子それぞれがオンになる切り替え前後の期間をオーバーラップさせることを特徴とする磁気メモリ装置。

IPC (4件)：

G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (5件)：

G11C 11/14 Z ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (5件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA06 ,  5F083GA11 ,  5F083GA15 ,  5F083KA00