特許
J-GLOBAL ID：200903093385885095
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-090730
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291196
出願日： 1992年04月10日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 プラズマエッチングによりアルミ配線パターンを形成する際、エッチング終点を正確に判定することができる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 層間絶縁膜と配線用のアルミニウム層又はアルミニウム合金層との間に酸化アルミニウムを介在させる。酸化アルミニウムを塩素系ガスを用いてプラズマエッチングするとアルミニウム又はアルミニウム合金よりも強い発光強度を呈するため、エッチング終点付近において、発光強度が一層急激に低下し、この結果エッチング終点の判定を一層正確に行なうことができる。
請求項（抜粋）：
半導体基体上にアルミ配線パターンが形成されている半導体装置を製造するに際し、所定の半導体領域が形成されている半導体基体上に層間絶縁膜を形成し、この層間絶縁膜上に酸化アルミニウム層を形成し、コンタクトホールを形成してから配線用のアルミニウム又はアルミニウム合金層を形成し、塩素系反応ガスを用いるプラズマエッチング処理により前記アルミニウム又はアルミニウム合金層及び酸化アルミニウム層を選択的に除去し、このプラズマエッチング処理において、アルミニウムの発光スペクトルを検出し、検出したアルミニウムの発光スペクトルの変化に基いてエッチング終点を判定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, H01L 21/3205
, H01L 21/90
H01L 21/88 D
, H01L 21/88 N
