特許

J-GLOBAL ID：200903093386889990

半導体レーザ装置

発明者： 浅井 道成
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-152939
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327122
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 経時変化によりレーザペレットの光出力面が劣化される場合でも、光出力を一定にコントロールすることを可能にした半導体レーザ装置を得る。【構成】 ステムベース1の上面に設けたヒートシンクブロック2の垂直面にレーザペレット3を搭載し、キャップガラス7を有するキャップ6はレーザペレットの搭載面に対してヒートシンクブロック側が高くなるように、レーザ光の垂直放射角の半分の角度〜45°の範囲内で傾斜させ、かつヒートシンクブロック2の上面にモニタ用受光素子4を搭載する。レーザペレット3から出力されてキャップガラス7から外部に出力されるレーザ光の一部を反射させ、この反射光をモニタ用受光素子4で受光してレーザペレット3を制御することで、経時変化にかかわらずレーザペレットからの光出力をコントロールすることが可能となる。

請求項（抜粋）：

ステムベース上にレーザペレットと、このレーザペレットから出力されるレーザ光をモニタするモニタ用受光素子とを搭載し、これらをキャップガラスを有するキャップで封止してなる半導体レーザ装置において、前記レーザペレットから出力されてキャップガラスから外部に出力されるレーザ光の一部をキャップで反射させ、この反射光を前記モニタ用受光素子で受光させるように構成したことを特徴とする半導体レーザ装置。