特許

J-GLOBAL ID：200903093391801928

メッキ処理装置、および半導体デバイスの製造方法

発明者： 大加瀬 亘 ,  松尾 剛伸
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-263690
公開番号（公開出願番号）：特開2002-069700
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2002年03月08日
要約：

【要約】【課題】 アノード電極の保守・交換のためメッキ液槽を解体することを必要としないメッキ処理装置、半導体デバイスの製造方法を提供すること。自動的にアノード電極が適切な状態でメッキ液に浸漬されるメッキ処理装置、半導体デバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】 メッキ液に接触するアノード電極の表面積が所定の値以上を保つべくアノード電極をメッキ液内に供給するアノード電極供給機構を有する。表面積がメッキ液との界面となるので、これを規範に表面積を所定以上に保つように、その減量に対応してアノード電極のうちメッキ液に接触していない部位をメッキ液槽内のメッキ液に接触するように供給する。また、メッキ液に接触するアノード電極の表面積を見積り検出する検出機構を有する。アノード電極のメッキ液との接触表面積を見積り検出し、この結果を用いてアノード電極の上記供給を行う。

請求項（抜粋）：

メッキ液を満たされ、被処理体の処理面に形成された導電層を前記メッキ液に接触させて前記導電層にメッキ形成を行うメッキ液槽と、前記メッキ液槽に満たされたメッキ液に接触可能に設けられたアノード電極と、前記メッキ液に接触する前記アノード電極の表面積が所定の値以上を保つべく前記アノード電極を前記メッキ液内に供給するアノード電極供給機構とを有することを特徴とするメッキ処理装置。

IPC (7件)：

C25D 21/00 ,  C25D 5/08 ,  C25D 7/12 ,  C25D 17/00 ,  C25D 17/12 ,  C25D 21/12 ,  H01L 21/288

FI (7件)：

C25D 21/00 C ,  C25D 5/08 ,  C25D 7/12 ,  C25D 17/00 H ,  C25D 17/12 C ,  C25D 21/12 C ,  H01L 21/288 E

Fターム (13件)：

4K024AB01 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024CA13 ,  4K024CB06 ,  4K024CB08 ,  4K024CB09 ,  4K024CB13 ,  4K024CB24 ,  4K024GA16 ,  4M104BB04 ,  4M104DD52 ,  4M104HH20