特許

J-GLOBAL ID：200903093395217970

半導体感磁性素子及びそれを用いた磁気ヘッド装置

発明者： 原田 直樹
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-017268
公開番号（公開出願番号）：特開平9-214016
出願日： 1996年02月02日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 半導体感磁性素子及びそれを用いた磁気ヘッド装置に関し、高速の磁場変化に追随でき、且つ、感度の高い半導体感磁性素子及びそれを用いた磁気ヘッド装置を提供する。【解決手段】 半導体層1の同一面上或いは対向する面上のいずれかに、この半導体層1中にスピン偏極した電子を注入する磁化した磁性体からなるエミッタ電極2と、注入された電子を収集する磁化した磁性体からなる一つ以上のコレクタ電極3とを対向して配置すると共に、エミッタ電極2とコレクタ電極3との間の半導体層1に磁場Bを印加する。

請求項（抜粋）：

半導体層の同一面上或いは対向する面上のいずれかに、前記半導体層中にスピン偏極した電子を注入する磁化した磁性体からなるエミッタ電極と、注入された前記電子を収集する磁化した磁性体からなる一つ以上のコレクタ電極とを対向して配置すると共に、前記エミッタ電極と前記コレクタ電極との間の前記半導体層に磁場を印加するようにしたことを特徴とする半導体感磁性素子。

IPC (4件)：

H01L 43/00 ,  G01R 33/06 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39

FI (4件)：

H01L 43/00 ,  G11B 5/39 ,  G01R 33/06 Z ,  G01R 33/06 R