特許
J-GLOBAL ID：200903093395267195
電子放出用半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-301319
公開番号（公開出願番号）：特開2001-126608
出願日： 1999年10月22日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】 電子放出量を増大するとともに電子放出を安定化する。【解決手段】 針状エミッタ電極5は、先端に冠状エッジ13、15を有する包囲エミッタ電極9により囲まれている。針状エミッタ電極5の先端に加え、冠状エッジ13、15が電子放出面として機能するので、電子放出面積が大きくなる。包囲エミッタ電極9に代えて、あるいは包囲エミッタ電極9のさらに外側に電子引出し用電極用の導電膜を設けてもよい。電極の近接により駆動電圧を低減できる。電子引出し用電極のさらに外側を集束用電極で取り囲むことが好適である。製造方法に関しては、シリコン針状体の周囲に導電膜を形成した山形構造をつくり、その山形構造の頂上をエッチングで除去するという、簡便な製造方法を提供する。
請求項（抜粋）：
シリコン針状体で構成される針状エミッタ電極と、前記針状エミッタ電極の周囲を覆う少なくとも一重の導電膜で構成され、該導電膜の上部に前記シリコン針状体の先端部を取り囲む冠状エッジを有する包囲エミッタ電極と、を含むことを特徴とする電子放出用半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 F
