特許
J-GLOBAL ID：200903093396942732
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-307945
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126925
出願日： 1997年10月21日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：
【要約】【課題】電極側からの光取り出し量を向上させること。【解決手段】基板11上に,AlNから成るバッファ層12,SiドープのGaNから成る高キャリア濃度n+層13,Siドープのn型GaN から成るクラッド層14,GaNから成るバリア層151とGa0.8In0.2Nから成る井戸層152が交互に積層されたMQWの発光層15,p型Al0.15Ga0.85Nから成るクラッド層16,p型GaNから成るコンタクト層17が順次形成されている。コンタクト層17上には金属蒸着による透光性の電極18Aが,n+層13上には電極18Bが形成され, 電極18A上の一部に電極パッド20が形成されている。基板11の下面には,膜厚125nmのSiO2から成る第1反射膜191と,膜厚125nmのTiO2から成る第2反射膜192とが交互に10周期積層された反射膜19が形成されている。発光層15による発光の波長領域は,反射膜19による90%以上の反射率の領域内にあるので,反射膜19により効果的に光が反射され,発光強度を高めることができる。
請求項（抜粋）：
基板上に窒化ガリウム系化合物半導体から成る層が積層され、所定の波長領域の光が得られる発光素子において、前記基板に対して同じ側に正負の各電極が形成され、該各電極が形成された側と異なる側の前記基板上に、前記波長領域近傍の光を反射させ、前記波長領域近傍以外の光を透過させる反射膜が形成されたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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