特許
J-GLOBAL ID：200903093397450167
可変容量ダイオード及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
草野 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-312245
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275217
出願日： 1996年11月22日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：
【要約】【課題】 製造が容易で容量比が大きい可変容量ダイオードを得る。【解決手段】 基板1の上面にエピタキシャル成長法によりエピタキシャル層2を形成し、このエピタキシャル層2に対してイオン注入法によりシリコンイオンを注入してエピタキシャル層2内にガウス分布特性を持たせて不純物を分布させる。ガウス分布特性のピーク濃度位置まで半導体層の表面を切削除去し、そのピーク濃度露出面にショットキー電極を、基板の裏側にオーミック電極をそれぞれ被着して可変容量ダイオードを得る。
請求項（抜粋）：
基板の一方の面に形成され、厚み方向に対してキャリア濃度が表面から漸次薄くなる方向に傾斜付けされた半導体層と、この半導体層の面に形成された表面電極と、上記基板の裏面に形成された裏面電極とを具備して構成される可変容量ダイオードにおいて、上記半導体層に形成される不純物濃度の分布は表面がほぼ最高濃度とされ、この最高濃度から上記基板との接合面に向かってガウス分布特性に従って漸次濃度が薄くなる濃度分布特性を呈することを特徴とする可変容量ダイオード。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 29/93 S
, H01L 29/93 Z
, H01L 21/265 W
, H01L 21/265 C
