特許
J-GLOBAL ID：200903093401247355
薄膜圧電素子及び薄膜圧電素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-280628
公開番号（公開出願番号）：特開平9-130200
出願日： 1995年10月27日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】 広帯域なフィルタや発振周波数範囲の広い共振器を半導体回路と一体化し、特性が良好で小形で製造コストの安い薄膜圧電素子を得る。【解決手段】 半導体基板1上に、誘電体層4を有し、上記誘電体層4上に下地導電体層5を有し、上記下地導電体層上に圧電セラミクス薄膜27を有し、上記圧電セラミクス薄膜上に導電性電極パターン6を有し、上記圧電セラミクス薄膜27の厚みをhとし、上記下地導電体層5の厚みをdとし、上記圧電セラミクス薄膜の表面に平行な方向に伝搬する弾性波の波数をkとしたときに、khが2以下であるか、あるいは、d/hが0.1以下であるように構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、上記半導体基板上に設けられた、厚さdの下地導電体層と、上記下地導電体層上に設けられた、厚さhの圧電セラミクス薄膜と、上記圧電セラミクス薄膜上に設けられた導電性電極パターンとを備え、厚さd/厚さhが0.1以下であることを特徴とする薄膜圧電素子。
IPC (9件)：
H03H 9/17
, H01L 41/08
, H01L 41/187
, H01L 41/22
, H03B 5/30
, H03B 5/32
, H03H 3/02
, H03H 9/145
, H03H 9/25
H03H 9/17 F
, H03B 5/30 A
, H03B 5/32 H
, H03H 3/02 B
, H03H 9/145 Z
, H03H 9/25 Z
, H01L 41/08 D
, H01L 41/18 101 D
, H01L 41/22 Z
