特許
J-GLOBAL ID：200903093403057103
半導体記憶素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-268716
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130259
出願日： 1994年11月01日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：
【要約】【目的】 微細化を図ることが可能な半導体記憶素子を提供する。【構成】 MIOS型の半導体記憶素子の絶縁層13を下層絶縁層13aと上層絶縁層13bとの2層構造で構成する。上層絶縁層13bには、下層絶縁層13aと比較して構造欠陥及び不純物が多く含まれるようにする。これによって、電荷の捕獲能力と保持能力とを上層絶縁層13bと下層絶縁層13aとで個別に確保し、上層絶縁層及び下層絶縁層の膜厚と膜質とを個別に設定して絶縁層13の電荷蓄積能力を確保する。
請求項（抜粋）：
電荷を蓄積するための絶縁層を有するMIOS型またはMOIOS型の半導体記憶素子において、前記絶縁層は、下層絶縁層と当該下層絶縁層の上面の上層絶縁層との2層構造からなり、前記上層絶縁層は、前記下層絶縁層と比較して構造欠陥及び不純物のうちの少なくともどちらか一方が多く含まれるものでああることを特徴とする半導体記憶素子。
IPC (3件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
