特許

J-GLOBAL ID：200903093409802013

半導体装置断面構造の表示方法

発明者： 田沢 聰 ,  落合 克幸
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-069394
公開番号（公開出願番号）：特開平10-269257
出願日： 1997年03月24日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】 表面拡散を伴う場合、および、面方位依存性がある場合に膜堆積(成長)とエッチングに対する断面加工形状を従来よりも実際の現象に近似させて表示する。【解決手段】 外部領域14に接する半導体装置の表面を形成するセルp3に対して外部領域14から流入する所定の属性の流入物質の流入量を求める。表面拡散がある場合は外部領域14に接する半導体装置の表面を形成するセルp5におけるエッチングまたは堆積の反応レートと流入量とを乗じて得られた値に比例する半径の円16をセル毎に設定する。エッチング工程の場合は円16の内部に位置するセルのうち半導体装置のセルの属性を外部領域14の属性に置き換える。堆積工程の場合は円16の内部に位置するセルのうち外部領域14のセルの属性を流入物質15の属性に置き換える。

請求項（抜粋）：

半導体装置の断面構造およびこの断面構造に接する外部領域をセルの集合で形成し、各セルに物質の種類に対応した属性およびセルの位置を示す情報を持たせ、所定の加工工程に応じて前記セルの削除もしくは属性の変更または新規セルの追加処理を施して前記半導体装置の断面構造の加工形状を表示する半導体装置断面構造の表示方法において、前記外部領域に接する前記半導体装置の表面を形成するセルに対して前記外部領域から流入する所定の属性の流入物質の流入量を求め、表面拡散がある場合は流入物質の拡散量を計算して各セルへの流入量を求め直し、前記外部領域に接する前記半導体装置の表面を形成するセルにおけるエッチングまたは堆積の反応レートと前記流入量とを乗じて得られた値に比例する半径の円を前記セル毎に設定し、エッチング工程の場合は前記円の内部に位置するセルのうち前記半導体装置のセルの属性を前記外部領域の属性に置き換え、堆積工程の場合は前記円の内部に位置するセルのうち前記外部領域のセルの属性を前記流入物質の属性に置き換えることを特徴とする半導体装置断面構造の表示方法。

IPC (5件)：

G06F 17/50 ,  G06T 1/00 ,  H01L 21/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/306

FI (6件)：

G06F 15/60 666 S ,  H01L 21/00 ,  H01L 21/205 ,  G06F 15/62 U ,  H01L 21/306 P ,  H01L 21/306 Q