特許
J-GLOBAL ID：200903093410876624
受光素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-330065
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156520
出願日： 1998年11月19日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 高速の光応答をする受光素子において本来の光電流よりも非常に遅い応答をする光電流成分(テールカレント)を低減した受光素子を実現する。【解決手段】 受光素子が、半導体基板と、該半導体基板の上に島状に形成された受光領域と、該受光領域のすくなくとも中央部を除く領域を遮光するように該半導体基板の上に形成された遮光マスクと、を有し、該遮光マスクは、上部金属膜9と下部金属膜10とを含み、該上部金属膜と該下部金属膜とはすくなくとも部分的に絶縁膜6によって分離され、かつ互いに異なるパターンを有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板の上に島状に形成された受光領域と、該受光領域のすくなくとも中央部を除く領域を遮光するように該半導体基板の上に形成された遮光マスクと、を有し、該遮光マスクは、上部金属膜と下部金属膜とを含み、該上部金属膜と該下部金属膜とは、すくなくとも部分的に絶縁膜によって分離され、かつ互いに異なるパターンを有している、受光素子。
Fターム (13件)：
5F049MA04
, 5F049MB07
, 5F049NA03
, 5F049QA03
, 5F049QA15
, 5F049QA17
, 5F049SE05
, 5F049SE09
, 5F049SE11
, 5F049SE17
, 5F049SS04
, 5F049SZ10
, 5F049TA05
