特許

J-GLOBAL ID：200903093418571679

埋込み式細動除去器の光制御高電圧スイッチ

発明者： コックス,ティモシー ジェイ ,  アームストロング,スコット エイ
出願人/特許権者： サルザー インターメディクス インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-523004
公開番号（公開出願番号）：特表2000-502915
出願日： 1996年12月18日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】光学的に制御された高電圧スイッチを備えた埋込み式細動除去器。3端子高電圧用半導体スイッチ(88)は、低い制御電圧が特定のしきい値を超えた場合に、制御端子(CRT)と共通端子(COM)の間に印加される低い制御電圧に応答して高電圧端子(HV)と共通端子(COM)の間に高導電率状態を示し、制御電圧が特定のしきい値より小さい場合に、電圧端子(HV)と共通端子(COM)の間に低導電率状態を示す。互いに光学的に結合されかつ電気的に絶縁された発光素子(90)と光起電力素子(92)を有する光起電力カプラ/アイソレータ(82)が、制御端子と共通端子の間で回路連絡する。低電圧電流源(80)は、光起電力カプラ/アイソレータ(82)の発光素子(96)を駆動する。互いに光学的に結合されかつ電気的に分離された発光素子(94)と光感応素子(96)を有するスイッチ・オフ光アイソレータ(84)が、半導体スイッチ(88)の制御端子と共通端子の間で回路連絡する。スイッチ・オフ低電圧電流源(86)は、互いに光学的に結合されかつ電気的に分離された光感応導電素子を有するスイッチ・オフ光アイソレータの発光素子(94)を駆動し、光起電力素子と半導体スイッチの間で直列に回路連絡する。スイッチ・オン低電圧電流源は、スイッチオン光アイソレータの発光素子を駆動する。

請求項（抜粋）：

埋込み式心臓刺激器[10]であって、 密閉封止したケース[11]と、 電源[70]と、 前記刺激器を制御するための回路手段[12]と、 心臓を細動除去するために電気ショックを作成するように適合された細動除 去器回路[62]と、 前記細動除去器回路の高電圧出力を制御するための高電圧スイッチ[68]で あって、 高電圧端子、共通端子および制御端子を備え、前記低制御電圧が特定のしき い値を超えた場合に、前記制御端子と前記共通端子の間に印加された低制御電 圧に応答して前記高電圧端子と前記共通端子との間を高導電率状態にし、前記 制御端子と前記共通端子の間の電圧が前記特定のしきい値よりも小さいときに 、 前記高電圧端子と前記共通端子の間を低導電率状態にする3端子高電圧用半導 体スイッチ[88]と、 発光端子と光電素子を備え、前記発光素子が、前記光電素子に光学的に結合 されかつ電気的に絶縁され、前記光電素子が、前記半導体スイッチの前記制御 端子と共通端子の間で回路連絡する光電カプラ/アイソレータ[82]と、 前記半導体スイッチの前記制御端子と共通端子の間で回路連絡するキャパシ タ[100]と、 前記光電力カプラ/アイソレータの前記発光素子と回路連絡し、前記発光素 子を駆動する低電流源手段と[80]と、 を含む光学的に分離された制御装置を有する高電圧スイッチ[68]と、 前記高電圧端子と制御端子の間に結合された遷移信号により前記半導体スイ ッチが間違ってターンオンするのを防ぐ保護手段であって、発光素子[94]と 光感応導電素子[96]を有するスイッチ・オフ光アイソレータ[84]を含み、 前記発光素子が、前記光感応導電素子と光学的に結合されかつ電気的に分離さ れ、前記光感応素子が、光を照射されないときに低い導電性を示し、光が照射 されたときに高い導電性を示し、前記光感応導電素子が、前記半導体スイッチ [88]の前記制御端子と共通端子の間で回路連絡することを特徴とする保護手 段と、 前記スイッチ・オフ光アイソレータの前記発光素子と回路連絡し、前記発光 素子を駆動するスイッチ・オフ電圧電流源手段[88]と、 を含む埋込み式心臓刺激器[10]。