特許
J-GLOBAL ID：200903093420564841
低消費電力論理機能回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-119651
公開番号（公開出願番号）：特開2000-312004
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：
【要約】【課題】従来のSOI基板を用いた集積回路の論理回路は広範囲に電源電圧変動する場合に、低電圧側で停止しやすい回路であるか、もしくは低電圧動作に強くとも高電圧側でリーク電流が生じる回路であるか、もしくは消費電力と素子効率の悪い回路であって、電源電圧が大きく変動する電源の場合に広範囲で低消費電力に適した回路方式がないという課題があった。【解決手段】高電圧に適したFBMOS方式の第1論理機能回路と低電圧に適したDTMOS方式の第2論理機能回路を設け、かつ電源電圧検出回路と、高電位でも低電位でも動作するMTMOS方式の切替制御回路によって電源電圧の高低によって第1,第2論理機能回路を切り替えるようにした。【効果】電源電圧が高低いずれであっても、電力消費が少なく、かつ低電圧でも動作する。
請求項（抜粋）：
a)埋め込み酸化膜層を有するシリコン・オン・インシュレータ基板を用いた半導体集積回路装置において、b)絶縁ゲート電界効果型トランジスタのボディ電位を浮かしたフローティングボディMOSFETを組み合わせて構成した第1論理機能回路とc)MOSFETのボディ電位をゲート電極に接続した動的しきい値MOSFETを組み合わせて構成し、かつ論理機能としては前記第1論理機能回路と等価の第2論理機能回路と、d)電源電圧を検出する電源電圧検出回路と、e)前記電源電圧検出回路の信号によって電源電圧が低い場合には前記第1論理機能回路を動作させ、電源電圧が高い場合には前記第2論理機能回路を動作させるように制御信号を前記第1論理機能回路と前記第2論理機能回路に接続した切替制御回路からなり、かつ該切替制御回路は絶縁ゲート電界効果型トランジスタのボディ電位を逆方向ダイオード手段を介してゲート電極に接続した可変しきい値MOSFETを組み合わせて構成したことを特徴とする低消費電力論理機能回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 613 A
, H03K 19/00 A
5F110AA02
, 5F110AA09
, 5F110BB04
, 5F110BB20
, 5F110CC02
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110GG02
, 5F110GG12
, 5J056AA03
, 5J056BB10
, 5J056BB17
, 5J056CC03
, 5J056DD13
, 5J056DD29
, 5J056EE04
, 5J056KK02
