特許

J-GLOBAL ID：200903093423894516

Siクラスレート単結晶とその製造方法

発明者： 宗藤 伸治 ,  亀井 一人
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (4件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  甲田 一幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-227156
公開番号（公開出願番号）：特開2004-067425
出願日： 2002年08月05日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【課題】Baを含むSiクラスレート化合物の単結晶を簡便かつ低コストで育成して提供する。【解決手段】Si原子の5員環面の12個からなる12面体のSi20フラーレンが体心立方格子構造の各格子点に配置され、互いに近接するSi20フラーレンに包囲された包囲空間領域が単位格子あたりに6個形成され、各包囲空間領域あたりに1個のSi原子を追加することによって12個の5員環面と2個の6員環面とからなる14面体のSi24フラーレンが単位格子あたりに6個形成されて、各フラーレン内に1個のBa原子が内包されるSiクラスレートの一部のSi原子が他の原子で置換された化合物からなるSiクラスレート単結晶であって、単位格子あたりにx個(10.8≦x≦12.2)のSi原子がAl原子とGa原子のいずれかで置換されてBa8(Al、Ga)xSi46-xで表される組成比を有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

Si原子の5員環面の12個で形成される12面体のSi20フラーレンが体心立方格子構造の各格子点に配置され、互いに近接する前記Si20フラーレンに包囲された包囲空間領域が前記体心立方格子構造の単位格子あたりに6個形成されており、各前記包囲空間領域あたりに1個のSi原子を追加することによって12個の5員環面と2個の6員環面とからなる14面体のSi24フラーレンが前記単位格子あたりに6個形成されていて、各前記フラーレン内に1個のBa原子が内包されるべきSiクラスレートの一部のSi原子が他の原子で置換された化合物であって、 前記単位格子あたりにx個(10.8≦x≦12.2)のSi原子がAl原子とGa原子のいずれかで置換されていてBa8(Al、Ga)xSi46-xで表される化合物からなるSiクラスレート単結晶。

IPC (6件)：

C30B29/66 ,  C01B33/06 ,  C30B11/00 ,  C30B29/52 ,  H01L35/14 ,  H01L35/34

FI (6件)：

C30B29/66 ,  C01B33/06 ,  C30B11/00 Z ,  C30B29/52 ,  H01L35/14 ,  H01L35/34

Fターム (20件)：

4G072AA01 ,  4G072BB02 ,  4G072BB11 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072NN03 ,  4G072NN05 ,  4G072RR22 ,  4G072UU30 ,  4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB10 ,  4G077BA10 ,  4G077CD02 ,  4G077EC08 ,  4G077HA05 ,  4G077HA08 ,  4G077MB04 ,  4G077MB31