特許

J-GLOBAL ID：200903093425000504

サブバンド間発光素子

発明者： 大野 英男 ,  大谷 啓太
出願人/特許権者： 東北大学長
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-060542
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144382
出願日： 2000年03月06日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 サブバンド間発光素子のしきい値電流を低減させる。【解決手段】 InAs層5a,5bの量子井戸内の第2サブバンドに注入されたキャリアは、GaSb層6a,6bのバンドギャップによってブロックされて、キャリアの漏れ出しを防止し、その結果、サブバンド間発光素子の漏れ電流を抑制し、キャリアの高効率な注入が可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、第1の半導体材料から構成した第1半導体層と、前記第1の半導体材料の伝導帯よりエネルギー的に高い価電子帯を有する第2の半導体材料から構成され、前記第1半導体層にヘテロ接合した第2半導体層と、前記第1半導体層又は第2半導体層にヘテロ接合し、超格子構造を有する第3半導体層とを具え、前記第1半導体層又は第2半導体層を、直接又は少なくとも1個の半導体層を介して前記半導体基板上に堆積したことを特徴とするサブバンド間発光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00 A

Fターム (13件)：

5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041AA12 ,  5F041AA21 ,  5F041CA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA57 ,  5F073AA74 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073EA23