特許

J-GLOBAL ID：200903093429565840

透明導電性薄膜の形成方法

発明者： 矢野 哲夫 ,  大家 利彦 ,  米田 理史 ,  勝村 宗英
出願人/特許権者： 工業技術院長
代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-044442
公開番号（公開出願番号）：特開平11-229120
出願日： 1998年02月10日
公開日（公表日）： 1999年08月24日
要約：

【要約】【課題】 蒸着の際に、基板を加熱する必要がなく、これまで変形、軟化などのトラブルを伴うために使用することができなかったプラスチックのような基板に対しても適用しうる、新規な蒸着法による透明導電性薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】 非加熱状態の基板上に、紫外光レーザを照射しながら酸化物半導体を蒸着させて透明導電性薄膜を形成させる。

請求項（抜粋）：

非加熱状態の基板上に、紫外光レーザを照射しながら酸化物半導体を蒸着させることを特徴とする透明導電性薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

C23C 14/08 ,  C23C 14/22 ,  H01B 13/00 503 ,  H01S 3/00

FI (4件)：

C23C 14/08 D ,  C23C 14/22 F ,  H01B 13/00 503 B ,  H01S 3/00

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-032106