特許

J-GLOBAL ID：200903093431075842

金属用研磨組成物

発明者： 沖田 光史 ,  船越 真二
出願人/特許権者： 旭化成ケミカルズ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-359706
公開番号（公開出願番号）：特開2004-189894
出願日： 2002年12月11日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：

【課題】半導体基板上の金属膜を平坦化する工程において、低荷重条件下においても金属膜を高速に研磨し、かつスクラッチ、ディッシング等研磨面の欠陥の発生も抑制できる金属用研磨組成物およびそれを用いてなる半導体基板上の金属膜の平坦化方法ならびに半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】ポリオキソ酸および/またはその塩、非イオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤および水から成ることを特徴とする金属研磨用組成物およびそれを用いてなる半導体基板上の金属膜の平坦化方法ならびに半導体基板の製造方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ポリオキソ酸および/またはその塩、非イオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤および水を含有してなることを特徴とする金属用研磨組成物。

IPC (3件)：

C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

FI (3件)：

C09K3/14 550Z ,  B24B37/00 H ,  H01L21/304 622C

Fターム (6件)：

3C058AA07 ,  3C058CA01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12