特許

J-GLOBAL ID：200903093437308440

半導体レーザ装置の製造方法

発明者： 福永 秀樹 ,  中山 秀生
出願人/特許権者： 富士ゼロツクス株式会社
代理人 (1件)： 小田 富士雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-267076
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121822
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 リッジ導波路型半導体レーザの漏れ電流の防止【構成】 (100)面GaAs基板1上に第一導電型クラッド層2及び光導波層3により挟まれた活性層4を順次成長させ、次いで前記GaAs基板1の結晶方位に対して[011]方向に伸びたストライプ状の窓を形成したマスク層を設けて第二導電型クラッド層5、第二導電型キャップ層6を成長させる【効果】 クラッド層5の厚みを高精度で制御できる。

請求項（抜粋）：

(100)面GaAs基板上に第一導電型クラッド層及び光導波層により挟まれた活性層を順次成長させ、次いで前記GaAs基板の結晶方位に対して[011]方向に伸びたストライプ状の窓を形成したマスク層を設けて第二導電型クラッド層、第二導電型キャップ層を成長させる工程とを含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。