特許
J-GLOBAL ID:200903093445423053

多孔質シリカ膜形成用塗布液

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 久保山 隆 ,  中山 亨 ,  榎本 雅之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-161144
公開番号(公開出願番号):特開2004-002579
出願日: 2002年06月03日
公開日(公表日): 2004年01月08日
要約:
【課題】低い誘電率を維持しながら、耐電圧の低下が少ない多孔質シリカ膜を形成し得る多孔質シリカ膜形成用塗布液を提供する。【解決手段】式(1)で示されるシラン化合物の少なくとも1種を縮合せしめて得た樹脂と両性界面活性剤と有機溶剤とを含有してなる多孔質シリカ膜形成用塗布液。Q1a-Si-(OR1)4-a (1)(式中、Q1は、水素原子またはフッ素原子を表すか、炭素数1〜6のアルキル基、置換されていてもよいアリール基を表し、R1は、炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基またはR2CO基を表し、同一であっても異なっていてもよく、R2は、水素原子を表すか、炭素数1〜6のアルキル基またはフェニル基を表し、aは0〜2の整数を表す。)
請求項(抜粋):
式(1)で示されるシラン化合物の少なくとも1種を縮合せしめて得た樹脂と両性界面活性剤と有機溶剤とを含有してなる多孔質シリカ膜形成用塗布液。 Q1a-Si-(OR1)4-a (1) (式中、Q1は、水素原子またはフッ素原子を表すか、炭素数1〜6のアルキル基、置換されていてもよいアリール基を表し、R1は、炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基またはR2CO基を表し、同一であっても異なっていてもよく、R2は、水素原子を表すか、炭素数1〜6のアルキル基またはフェニル基を表し、aは0〜2の整数を表す。)
IPC (7件):
C09D1/00 ,  C01B33/12 ,  C09D5/25 ,  C09D7/12 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  H01L21/316
FI (7件):
C09D1/00 ,  C01B33/12 C ,  C09D5/25 ,  C09D7/12 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  H01L21/316 G
Fターム (30件):
4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072BB15 ,  4G072GG02 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ47 ,  4G072LL15 ,  4J038AA011 ,  4J038DL061 ,  4J038DL071 ,  4J038GA08 ,  4J038HA446 ,  4J038JB01 ,  4J038JB23 ,  4J038KA09 ,  4J038MA14 ,  4J038NA17 ,  4J038NA20 ,  4J038PA19 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC05 ,  5F058BC20 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02

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