特許

J-GLOBAL ID：200903093446956942

半導体装置

発明者： 小田 耕治 ,  大倉 誠司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-239343
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092810
出願日： 1996年09月10日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】 水素の悪影響を受け易いEEPROMに用いるシリコン酸化膜から成る保護絶縁膜が、ステップカバレジおよび耐湿性が悪いものである。【解決手段】 保護絶縁膜12を2層構造にし、下層部分を、有機シランと酸素を用いたP-CVD法による有機シラン系シリコン酸化膜12aで構成してステップカバレジを向上させ、上層部分を化学量論的組成よりシリコンを過剰に含む、P-CVD法によるシラン系シリコン酸化膜12bで構成して耐湿性を向上させる。

請求項（抜粋）：

素子構成された半導体基板上に、配線層と、この配線層を覆って全面に形成された保護絶縁膜とを有し、該保護絶縁膜が積層構造であって、その最下層が、有機シランと酸素とを主成分ガスとし、プラズマを用いた化学気相成長法で形成された有機シラン系シリコン酸化膜で構成され、最上層が、化学量論的組成(O/Si=2.00)よりもシリコンを過剰に含む、プラズマを用いた化学気相成長法で形成されたシラン系シリコン酸化膜で構成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 21/316 M ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371