特許

J-GLOBAL ID：200903093449217504

湿式プロセスにおけるめっき膜厚およびエッチング溝深さの測定方法

発明者： 庄野 友陵 ,  中岡 康幸 ,  小林 実
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-130576
公開番号（公開出願番号）：特開平5-322880
出願日： 1992年05月22日
公開日（公表日）： 1993年12月07日
要約：

【要約】【目的】 インプロセスで正確なめっき膜厚測定とエッチング溝深さ測定を可能にすることを目的としている。【構成】 水溶液7中で定電流下または定電位下に保持されためっき部材2またはエッチング部材にレーザビーム1を照射し、レーザビーム照射時における電位変化または電流変化を検出することにより上記めっき部材またはエッチング部材のめっき膜厚またはエッチング溝深さを測定する。

請求項（抜粋）：

水溶液中で定電流下または定電位下に保持されためっき部材またはエッチング部材にレーザービームを照射し、レーザービーム照射時における電位変化または電流変化を検出することにより上記めっき部材またはエッチング部材のめっき膜厚またはエッチング溝深さを測定する湿式プロセスにおけるめっき膜厚およびエッチング溝深さの測定方法。

IPC (7件)：

G01N 33/20 ,  C23C 18/31 ,  C23F 1/00 ,  C25D 21/12 ,  C25F 7/00 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/06