特許
J-GLOBAL ID：200903093450492152
半導体部品およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
広瀬 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-303034
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139339
出願日： 1994年11月11日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】 外部からの衝撃や押圧力に対して優れた耐久性を有する半導体部品を製造する。【構成】 圧電薄膜振動子を製造するに際して、まず素子形成工程では、第1のシリコンウェハ21の(100)面に異方性エッチング等を施して振動部4,電極端子11,12等を形成し、第2のシリコンウェハ22の(100)面に異方性エッチングを施して凹部,コンタクトホール14を有する封止体13を形成する。次に、接合工程では、第1のシリコンウェハ21の<110>面方位と第2のシリコンウェハ22の<110>面方位とが45度ずれするように配置して両者を接合する。これにより、シリコンウェハ21,22が互いに補強し合い、全体としての強度が向上する。次に、切断工程で、接合されたシリコンウェハ21,22を二点鎖線に沿って切断して各圧電薄膜振動子を分離する。
請求項（抜粋）：
単結晶シリコンからなる基板と、該基板に形成された素子部と、該素子部を封止するために前記基板のへき開面の面方位に対してへき開面の面方位がずれた状態で前記基板上に接合された単結晶シリコンからなる封止体とから構成してなる半導体部品。
IPC (4件)：
H01L 29/84
, G01L 1/10
, G01L 9/00
, G01P 15/08
