特許

J-GLOBAL ID：200903093452019802

半導体受光素子

発明者： 加藤 和利 ,  湯田 正宏 ,  幸前 篤郎 ,  村本 好史 ,  中島 長明
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-043355
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233524
出願日： 1997年02月27日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：

【要約】【課題】 1V程度と低電圧で駆動しても、光電変換効率を低下させることなく、高速光信号に応答できるようにした半導体受光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 光ガイド層102上の所定領域に、厚さ1.5μmでバンドギャップ波長1.4μmの低キャリア濃度のn形InGaAsPからなる下部光吸収層103が形成され、この上に、厚さ1.5μmでバンドギャップ波長1.4μmのp形InGaAsPからなる上部光吸収層104が形成された構成とする。

請求項（抜粋）：

n形を有する第1の層と、前記第1の層に接して形成されてp形を有する第2の層とから構成された光吸収層を少なくとも備え、前記第1の層と第2の層との間に所定の逆バイアス電圧を印加したとき、前記第1の層は総てが空乏化し、前記第2の層は一部が空乏化することを特徴とする半導体受光素子。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体導波路型受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-155431   出願人：日本電信電話株式会社