特許

J-GLOBAL ID：200903093461242875

半導体ウェハシールエッチング装置

発明者： 木下 智雄 ,  斉須 好一 ,  狩野 清隆
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立設備エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-160855
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017768
出願日： 1995年06月27日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】 エッチング液による劣化を防止すると共に、半導体ウェハの洗浄を容易にした半導体ウェハシ-ルエッチング装置を提供する。【構成】 半導体ウェハ1を下側シール部材3および上側シール部材8間に挟持しながら、半導体ウェハ1の外周部にエッチング液を供給して半導体ウェハ1の中心側にエッチング液が侵入するのを防止し、エッチング処理の後、下側シール部材3の内側に配置した径小の第二ホルダ12を上昇させて半導体ウェハ1の下面に真空吸着させ、各ホルダ2,7と第二ホルダ12を図示のような位置関係にした後、第二ホルダ12と共に半導体ウェハ1を高速回転させ、ノズル19,20より半導体ウェハ1の上面および下面に超純水を供給し高速スピン洗浄する。

請求項（抜粋）：

対向部にそれぞれ環状のシール部材を有する一対のホルダ間に半導体ウェハを挟持してその外周部をエッチング処理し、その後、上記半導体ウェハを洗浄および乾燥させる半導体ウェハシールエッチング装置において、一方の上記ホルダの内側に、このホルダに対して上下動および回転可能な径小の第二ホルダを設けたことを特徴とする半導体ウェハシールエッチング装置。

IPC (4件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/68 ,  H01L 29/74

FI (4件)：

H01L 21/306 J ,  H01L 21/304 341 N ,  H01L 21/68 N ,  H01L 29/74 B