特許
J-GLOBAL ID:200903093462222720

光受容部材及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 若林 忠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-172213
公開番号(公開出願番号):特開平6-019172
出願日: 1992年06月30日
公開日(公表日): 1994年01月28日
要約:
【要約】【目的】 感光体の表面の曇りが無く、帯電能むら、ハーフトーンむら等の電位特性むらにすぐれ、かつ環境の変化に強く高耐久性の電子写真感光体を無公害で安定して作製することのできる方法を提供する。【構成】 切削した導電性基体101を、水122により洗浄を行なった後に、純水に接する工程131を行ない、プラズマCVD法により炭素原子の含有量が下部に多く分布した非単結晶SiCからなる光導電層、さらに珪素原子、水素原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子からなる表面層を設けることを特徴とする電子写真感光体の作製方法。
請求項(抜粋):
導電性基体の表面を所定の精度で切削する工程、切削後の基体表面を水で洗浄する工程、該導電性基体の表面を純水に接触させる工程、そして該導電性基体上に、シリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成された光導電層および表面層からなる光受容部層を形成する工程を備えた電子写真感光体の製造方法であって、前記光導電層中に全層に渡って炭素原子および水素原子を含有し、該炭素原子の含有量が層厚方向に不均一に分布し、かつ前記導電性基体側で高く分布しており、前記表面層中に炭素原子、水素原子、酸素原子および窒素原子を含有している光受容層をプラズマCVD法により導電性基体上に形成することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
IPC (4件):
G03G 5/08 360 ,  G03G 5/08 313 ,  G03G 5/08 350 ,  G03G 5/10
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 特開昭63-002058
  • 特開平3-107863
  • 特開昭62-078566

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