特許
J-GLOBAL ID：200903093462310777
半導体レーザの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-046976
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251825
出願日： 1992年03月04日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】 工程を増やすことなく不要成長層を除去することが可能な半導体レーザの製造方法を提供する。【構成】 半導体レーザの出射端面及び表面(あるいは裏面)に気相成長法によって窓層及び不要成長層を形成した後、両出射面(前面及び後面)に反射膜を形成し、この反射膜層をほとんど侵食せず不要成長層を選択的にエッチングするエッチャントに浸漬することにより、不要成長層を除去する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に活性層を含む発光構造を結晶成長させ、レーザ光の出射端面を露出させた後、前記出射端面および基板の少なくとも一方の表面に気相成長法で前記活性層よりも広いバンドギャップを有する半導体層を再結晶成長させた半導体レーザにおいて、前記再結晶成長半導体層の形成された出射端面上に反射膜層を設けた後、前記基板の少なくとも一方の表面に再成長された半導体層を、前記反射膜層をほとんどエッチングしないエッチャントに浸漬することによりエッチングし、前記基板の表面に電極を形成することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/205
, H01L 21/306
