特許

J-GLOBAL ID：200903093462532850

磁気メモリ素子

発明者： 山野 耕治 ,  前田 篤志 ,  高橋 誠一郎
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 目次 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-255308
公開番号（公開出願番号）：特開2000-090658
出願日： 1998年09月09日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 メモリ素子への情報の書き込みを効率的に行うことができ、かつ書き込みの際の隣接セルへの影響を低減することができ、高集積化を図ることができる磁気メモリ素子及びそれを用いた磁気メモリアレイを得る。【解決手段】 基板と、該基板の上方に設けられる磁気抵抗効果膜4とを備え、磁気抵抗効果膜4が、非磁性層2によって分離された第1の磁性層1及び第2の磁性層3を含み、第1の磁性層1に磁界を印加して第1の磁性層1の磁化方向を設定することにより情報を書き込み記録する磁気メモリ素子において、印加磁界の磁束を第1の磁性層1に集中させるための強磁性体からなる磁束制御層6が設けれていることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板の上方に設けられる磁気抵抗効果膜とを備え、前記磁気抵抗効果膜が、非磁性層によって分離された第1及び第2の磁性層を含み、前記第1の磁性層に磁界を印加して前記第1の磁性層の磁化方向を設定することにより情報を書き込み記録する磁気メモリ素子であって、前記印加磁界の磁束を前記第1の磁性層に集中させるための強磁性体からなる磁束制御層が設けられている磁気メモリ素子。