特許

J-GLOBAL ID：200903093463934251

窒素化合物半導体素子

発明者： 野崎 千晴 ,  ジョン レニ-
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-021331
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223742
出願日： 1999年01月29日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】本発明は、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、pコンタクト層とのコンタクト抵抗を低減でき、熱的に安定なp型電極を得ることにより、低しきい値電流、低動作電圧で、劣化を起こさず、優れた信頼性の実現を図る。【解決手段】p型電極としてpコンタクト層側から順に、コンタクト金属にAu薄膜およびAuと金属との合金、バリア金属、パッド金属Auの少なくとも3層を積層して形成することにより、低抵抗で熱的に安定なp型コンタクトを実現する。

請求項（抜粋）：

p型窒素化合物半導体層(Gax1Iny1AlZ1N :x1+y1+z1=1、0≦x1、y1、z1≦1)と、このp型窒素化合物半導体層上に形成されたAuあるいはAuと金属との合金からなる金属コンタクト層と、この金属コンタクト層上に形成された金属バリア層と、この金属バリア層上に形成されたp側電極とを具備することを特徴とする窒素化合物半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/042

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01S 3/18 624

Fターム (18件)：

5F041AA09 ,  5F041AA22 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB10 ,  5F073CB22 ,  5F073DA16 ,  5F073EA07 ,  5F073EA28