特許

J-GLOBAL ID：200903093469466080

半導体記憶装置及びその制御方法

発明者： 志賀 仁
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-316487
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135086
出願日： 1999年11月08日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】 書き込み時間短縮と消費電力低減を可能とする半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルを配列したメモリセルアレイ1と、データ書き込み、読み出しに必要な昇圧電位を発生する昇圧電源回路8と、読み出しデータをセンスし書き込みデータをラッチするセンスアンプ5と、アドレスによりメモリセルアレイ1のメモリセル選択を行うデコード回路2,3と、書き込みコマンド入力とアドレス及びデータ入力に基づいてメモリセルアレイ1へのデータ書き込みと書き込みデータの確認を含む自動書き込み動作の制御を行う制御回路7とを備え、複数アドレスに対する書き込みについて昇圧電源回路8の書き込み用昇圧回路を各アドレスの書き込み動作終了毎に非活性状態に戻すことなく活性状態に保つ連続書き込みモードを有する。

請求項（抜粋）：

メモリセルアレイと、昇圧電位を発生するための昇圧電源回路と、アドレス信号に応じて前記メモリセルアレイのメモリセル選択を行うデコード回路と、第1のコマンドが入力されると前記昇圧電源回路を活性状態とし、前記第1のコマンドに引き続いて前記昇圧電源回路を制御する第2のコマンドが繰り返し入力される間前記昇圧電源回路の活性状態を継続させる制御を行う制御回路と、を有することを特徴とする半導体記憶装置。

FI (2件)：

G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 611 A

Fターム (6件)：

5B025AA03 ,  5B025AC01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD10 ,  5B025AE05 ,  5B025AE06