特許

J-GLOBAL ID：200903093472949326

静電吸着方法

発明者： 小林 雅哉 ,  木佐 俊正
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-091347
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291384
出願日： 1992年04月13日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 主として半導体製造装置に用いられる静電吸着方法に関し、プラズマ中においてもウエーハ全面にわたつて一様に強い吸着力が得られてウエーハ温度の均一化が図れ、且つプラズマ処理前後の固着も完全になされ、更にウエーハの取外しが容易な静電吸着方法の提供を目的とする。【構成】 平板状の絶縁物中に埋め込まれ分離されている対の電極に正電圧と負電圧をそれぞれ印加して該絶縁物上に被処理基板を吸着させる静電吸着装置をプラズマ処理に用いるに際して、プラズマ処理中(t3〜t8)は前記負電圧を正電圧に切り換えて総ての電極に正電圧を印加し、プラズマ処理が終了する直前(t6〜t7)に該対の電極に正電圧と負電圧がそれぞれ印加される元の状態に復帰せしめるように構成する。

請求項（抜粋）：

平板状の絶縁物中に埋め込まれ分離されている対の電極に正電圧と負電圧をそれぞれ印加して該絶縁物上に被処理基板を吸着させる静電吸着装置をプラズマ処理に用いるに際して、プラズマ処理中は前記負電圧を正電圧に切り換えて総ての電極に正電圧を印加することを特徴とする静電吸着方法。

IPC (4件)：

H01L 21/68 ,  B23Q 3/15 ,  H01L 21/302 ,  H02N 13/00