半導体素子用基板および半導体素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-155413
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347431
出願日： 1992年06月15日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：

【要約】【目的】作製された半導体素子が高効率で動作することが可能であり、かつ基板上に積層する半導体層の組成が広い範囲で変化した場合にも適用できる半導体素子用基板を提供する。【構成】GaAsまたはGaPで形成されたベース基板21とGaAs1-xPx層23との間に、GaAs層とGaP層とを交互に積層した超格子体からなるバッファ層22が形成されている。そのためベース基板21とGaAs1-xPx層23との格子不整合が緩和され、GaAs1-xPx層23にミスフィット転位がなくなる。GaAs1-xPx層23の格子欠陥がなくなり、その表面が平坦に形成され、半導体層を積層するために良好なGaAs1-xPx層23を有する基板220となる。基板220を用い、大きな禁制帯幅が得られるように組成比を変化させてなる半導体層24、25、26がその上に形成されて半導体素子が形成される。

請求項（抜粋）：

GaAsまたはGaPからなるベース基板の上に、GaAs層とGaP層とが交互に積層された超格子体からなるバッファ層と、GaAs1-xPx層(xは0より大で1未満)とがこの順に積層された半導体素子用基板。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭61-107782
特開昭63-164384
特開平3-163884

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