特許
J-GLOBAL ID:200903093474895185
静電保護回路
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大西 健治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-287961
公開番号(公開出願番号):特開2001-110993
出願日: 1999年10月08日
公開日(公表日): 2001年04月20日
要約:
【要約】【課題】 従来は、高周波半導体装置の性能を維持しつつ、外部から流入する静電気を効果的に放電除去する方法がほとんどなく、このような保護ダイオードを設けることは極めて困難であった。【解決手段】 本願発明では、上記課題を解決するため、高周波半導体装置の入力端子と正の電源端子との間と、高周波半導体装置の入力端子と負の電源端子との間に、それぞれ入力端子にカソードが接続されるようにダイオードを設けるようにしたものである。この静電保護回路によって、高周波素子の特性を劣化させることなく、正負両極性においてESD耐圧の向上が図れるのである。また、接続するダイオードは、少なくとも1つあれば良く、複数個のダイオードを直列に接続することで、静電保護回路に電流が流れ出す電圧値を設定できる。従って、仮に正と負の電源電圧の絶対値が異なる場合でも、ダイオードの個数を調節することで、それぞれ任意の電圧値を設定できる。
請求項(抜粋):
高周波半導体装置の入力端子と正の電源端子との間と、前記高周波半導体装置の前記入力端子と負の電源端子との間に、それぞれ前記入力端子にカソードが接続されるようにダイオードを設けたことを特徴とする静電保護回路。
IPC (5件):
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/778
FI (4件):
H01L 27/04 H
, H01L 29/80 B
, H01L 29/80 P
, H01L 29/80 H
Fターム (13件):
5F038AZ10
, 5F038BE09
, 5F038BH04
, 5F038BH05
, 5F038BH13
, 5F038DF02
, 5F038EZ02
, 5F038EZ10
, 5F038EZ20
, 5F102FA06
, 5F102GA14
, 5F102GD01
, 5F102GJ05
引用特許:
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