特許
J-GLOBAL ID：200903093475010292
GaN系半導体受光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-346233
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174323
出願日： 1998年12月04日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】 受光対象光の短波長化に対応し、素子の寿命特性や受光感度を劣化させない好ましい電極構造を有する受光素子を提供すること。【解決手段】 光励起によって光電流に係るキャリアを発生するGaN系結晶層を光検出層1として、受光対象光Lが入射する側には、GaN系結晶からなりオーミック電極を形成し得るコンタクト層3を介して、入射側電極P1をオーミック電極として設ける。入射側電極の形成パターンは、コンタクト層上面(C-C)を部分的に覆うパターン(例えば、くし型)である。ここで、コンタクト層の上面のうち、入射側電極P1に覆われていない部分に凹部4を設け、受光対象光Lを光検出層1に好ましく到達させる構造とする。
請求項（抜粋）：
光励起によって光電流に係るキャリアを発生する光検出層と、両極側の電極とが、光起電力効果または光導電効果によって受光対象光を検出し得るように組み合わされた構造を少なくとも有し、光検出層の、受光対象光が入射する側には、電極を形成するためのGaN系結晶からなるコンタクト層を介して、少なくとも一方の電極が設けられ、前記一方の電極を入射側電極と呼ぶとして該入射側電極の形成パターンはコンタクト層を部分的に覆うパターンであり、コンタクト層の入射側電極形成面のうち、入射側電極に覆われていない部分には凹部が設けられていることを特徴とするGaN系半導体受光素子。
Fターム (17件)：
5F049MA02
, 5F049MA03
, 5F049MA04
, 5F049MA20
, 5F049MB07
, 5F049MB12
, 5F049NA05
, 5F049NA10
, 5F049NA20
, 5F049PA04
, 5F049PA08
, 5F049PA14
, 5F049QA03
, 5F049SE05
, 5F049SE09
, 5F049SS01
, 5F049WA05
