特許

J-GLOBAL ID：200903093475231345

電子部品

発明者： 小松 周一 ,  阿部 和秀 ,  今井 馨太郎 ,  齋田 繁彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-150254
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343639
出願日： 1992年06月10日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】 DRAMのメモリセルのキャパシタやバイパスコンデンサにおいて、リ-ク電流の低減及び大容量化を実現する。【構成】 結晶性金属酸化物を絶縁膜としたコンデンサ部を有する電子部品において、前記絶縁膜を介して対向配置された1対の電極の少なくとも一方がシリコンよりなり、このシリコンよりなる電極と前記絶縁膜との間に窒化ケイ素、炭化ケイ素及びフッ化物からなる群より選ばれた少なくとも1種または20atm%未満の酸素を含有する遷移金属窒化物が介在する。【効果】 大容量でリ-ク電流の小さいコンデンサ部を備えた電子部品を提供することができる。

請求項（抜粋）：

結晶性金属酸化物を絶縁膜としたコンデンサ部を有する電子部品において、前記絶縁膜を介して対向配置された1対の電極の少なくとも一方がシリコンよりなり、このシリコンよりなる電極と前記絶縁膜との間に窒化ケイ素、炭化ケイ素及びフッ化物からなる群より選ばれた少なくとも1種を介在せしめたことを特徴とする電子部品。

IPC (3件)：

H01L 27/108 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04