特許

J-GLOBAL ID：200903093480652332

化合物半導体基板および半導体発光素子

発明者： 岩田 浩和
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-344673
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173228
出願日： 1996年12月09日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】 In<SB>y</SB>Al<SB>z</SB>Ga<SB>(1-y-z)</SB>N(0≦y≦1,0≦z≦1,y+z≦1)化合物半導体と格子整合し、品質の良い(結晶性の良い)In<SB>y</SB>Al<SB>z</SB>Ga<SB>(1-y-z)</SB>N(0≦y≦1,0≦z≦1,y+z≦1)化合物半導体結晶を成膜させることが可能な、加工しやすい大面積で安価の化合物半導体基板を提供する。【解決手段】 この基板は、表面が鏡面仕上げされた石英基板101上に、c軸配向した六方晶結晶のバッファ層102と、低温Al<SB>x</SB>Ga<SB>(1-x)</SB>N(0<x<1)バッファ層103と、c面を主面とするIn<SB>y</SB>Al<SB>z</SB>Ga<SB>(1-y-z)</SB>N(0≦y≦1,0≦z≦1,y+z≦1)化合物半導体単結晶104とが、順次積層された構造となっている。

請求項（抜粋）：

石英基板上に、c軸配向した六方晶結晶のバッファ層と、低温AlxGa(1-x)N(0≦x≦1)バッファ層と、c面を主面とするInyAlzGa(1-y-z)N(0≦y≦1,0≦z≦1,y+z≦1)化合物半導体単結晶とが順次に積層されていることを特徴とする化合物半導体基板。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 29/20 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/20