特許

J-GLOBAL ID：200903093482182171

半導体装置の製造方法

発明者： 深田 広 ,  鈴木 正樹 ,  三井 勝広 ,  小野 大輔
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-221068
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063858
出願日： 2002年07月30日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】スラリーの再利用に際して、フィルタを用いることなく、凝集砥粒、切削屑などの不要物の除去が行えるようにする。【解決手段】CMP装置などの研磨装置から排出される使用済みスラリーを、濃度調整処理、粒径調整処理、PH調整処理によりリサイクルする。粒径調整処理は、超音波照射処理などによる凝集砥粒破砕処理部40と、スラリーを非均質温度に制御することにより凝集砥粒などを、正常砥粒と分離する温度分離処理部50と、分離した凝集砥粒などの廃棄処理を行う凝集砥粒廃棄処理部60とを有する粒径調整処理部32で処理する。これにより、フィルタを用いることなく凝集砥粒などの不要物を使用済みスラリー中から分離して粒径の正常な砥粒を含むスラリーを回収する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

研磨工程で使用されたスラリーの再利用工程を有する半導体装置の製造方法であって、 前記再利用工程では、前記研磨工程で使用された前記スラリーに、 前記スラリー中の凝集砥粒の凝集破砕を行う破砕処理と、 前記スラリー中の凝集砥粒と非凝集砥粒との分離を、前記スラリーの温度制御により行う温度分離処理とを適用して、 前記非凝集砥粒を含むスラリーを回収することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/304 ,  B24B57/02

FI (2件)：

H01L21/304 622E ,  B24B57/02

Fターム (4件)：

3C047FF08 ,  3C047GG14 ,  3C047GG17 ,  3C047GG18