特許
J-GLOBAL ID：200903093487010573
選択CVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-307738
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144767
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 選択性よくWなどの金属を酸化膜を有するウェハ上のコンタクトホールに埋め込むことのできる選択CVD装置をうる。【構成】 金属ハロゲン化物の還元反応を利用して、選択的に導電性膜上のみに金属膜を形成する選択CVD装置であって、ウェハを支持固定するウェハ固定治具の表面が耐熱性高分子膜により被覆されていることを特徴とする選択CVD装置。【効果】 コンタクトホールの埋め込みの際、ウェハ上の不要部分でW膜などの金属膜が形成されず、前記酸化膜上に金属配線を形成しても配線間ショートといった問題を生じない。
請求項（抜粋）：
金属ハロゲン化物の還元反応を利用して、選択的にウェハの導電性膜上のみに金属膜を形成する選択CVD装置であって、ウェハを支持固定するウェハ固定治具の表面が耐熱性高分子膜により被覆されていることを特徴とする選択CVD装置。
IPC (2件)：
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