特許

J-GLOBAL ID：200903093492914413

炭化けい素焼結体の製造方法

発明者： 西 芳次 ,  塩貝 達也 ,  宮田 昇 ,  石田 陽一
出願人/特許権者： 日本セメント株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-118235
公開番号（公開出願番号）：特開平9-278524
出願日： 1996年04月17日
公開日（公表日）： 1997年10月28日
要約：

【要約】【課題】 焼結助剤を添加し焼成するSiCセラミックスでは、作製した焼結体をさらにHIP処理してもポアの極めて少ない研磨面にすることはできない。【解決手段】 SiC粉末に焼結助剤を添加した粉末を成形し、その成形体を常圧又は加圧不活性ガス中で焼成する炭化けい素焼結体の製造方法において、該焼結助剤をMgAl2O4及びY2O3粉末とし、該不活性ガス中で焼成する方法をSiC粉末又はSiC粉末にMgAl2O4及び/又はY2O3粉末を添加した粉末に成形体を埋設して、あるいはSiC粉末にMgAl2O4及び/又はY2O3粉末を添加した粉末を成形体の周囲に配設して1600〜1900°Cの温度で焼成した後、さらにその焼結体を1600Kg/cm2以上の圧力で1500〜1800°Cの温度でHIP処理することを特徴とした炭化けい素焼結体の製造方法。

請求項（抜粋）：

SiC粉末に焼結助剤を添加した粉末を成形し、その成形体を常圧又は加圧不活性ガス中で焼成する炭化けい素焼結体の製造方法において、該焼結助剤をMgAl2O4及びY2O3粉末とし、かつその添加量をそれぞれ2〜15wt%とし、該焼成する方法をSiC粉末又はSiC粉末にMgAl2O4及び/又はY2O3粉末を添加した粉末に成形体を埋設して、あるいはSiC粉末にMgAl2O4及び/又はY2O3粉末を添加した粉末を成形体の周囲に配設して1600〜1900°Cの温度で焼成した後、さらにその焼結体を1600Kg/cm2以上の圧力下で1500〜1800°Cの温度でHIP処理することを特徴とする炭化けい素焼結体の製造方法。

IPC (3件)：

C04B 35/565 ,  C04B 35/64 ,  C04B 35/645

FI (4件)：

C04B 35/56 101 B ,  C04B 35/64 A ,  C04B 35/64 B ,  C04B 35/64 302 B