特許

J-GLOBAL ID：200903093494633721

多結晶シリコン多層配線の形成方法

発明者： 大柴 久 ,  斉田 隆
出願人/特許権者： 富士フイルムマイクロデバイス株式会社 ,  富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-123028
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326505
出願日： 1992年05月15日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ホーンの成長を防止し、耐圧性に優れた多結晶Si多層配線の形成方法を提供する。【構成】 シリコン基板1上に第1の酸化膜2を形成する工程と、第1の酸化膜2上に第1の多結晶シリコン層3を堆積する工程と、第1の多結晶シリコン層3上にパターニングしたマスク4を形成するの工程と、マスク4をエッチングマスクとして、直下の第1の多結晶シリコン層領域でサイドエッチングが生じるように第1の多結晶シリコン層3を等方性エッチングする工程と、マスク4をエッチングマスクとして多結晶シリコン層3を異方性エッチングしてパターニングする工程と、露出した酸化膜2をエッチングして除去し、マスク4を除去する工程と、露出したシリコン基板1および多結晶シリコン層3の表面に熱酸化により酸化シリコン膜を形成する工程と、酸化シリコン膜上に第2の多結晶シリコン層を堆積する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

シリコン基板(1)上に第1の酸化膜(2)を形成する工程と、該第1の酸化膜(2)上に第1の多結晶シリコン層(3)を堆積する工程と、該第1の多結晶シリコン層(3)上にパターニングしたマスク(4)を形成するの工程と、該マスク(4)をエッチングマスクとして、直下の第1の多結晶シリコン層(3)領域でサイドエッチングが生じるように第1の多結晶シリコン層(3)を等方性エッチングする工程と、前記マスク(4)をエッチングマスクとして前記多結晶シリコン層(3)を異方性エッチングしてパターニングする工程と、露出した酸化膜(2)をエッチングして除去し、マスク(4)を除去する工程と、露出したシリコン基板(1)および多結晶シリコン層(3)の表面に熱酸化により酸化シリコン膜(5)を形成する工程と、該酸化シリコン膜(5)上に第2の多結晶シリコン層(6)を堆積する工程とを含む多結晶シリコン多層配線の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/90

FI (3件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 C ,  H01L 21/88 P