特許

J-GLOBAL ID：200903093496660564

固体撮像装置

発明者： 沼津 真也
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-304570
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127275
出願日： 1999年10月26日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 無効撮像領域の光電変換素子における空乏領域を縮小し、無効撮像領域の光電変換素子によって暗信号を得る場合の白点の発生を抑制する。【解決手段】 有効撮像領域100Aでは、N型Si基板110の深層に設けたP型ウエル層130の上にN-型不純物領域132を形成し、その上にフォトダイオード部112を構成するN型光電変換領域134とP+型不純物領域136を形成する。このN-型不純物領域132によって有効撮像領域100Aのオーバフローバリアが深くなり、近赤外領域の感度を向上できる。また、無効撮像領域100Bでは、P型ウエル層130の上にN-型不純物領域132を形成することなく、フォトダイオード部112を構成するN型光電変換領域134とP+型不純物領域136を形成する。これにより、無効撮像領域100Bの空乏領域を縮小し、暗信号時の白点を抑制し、黒レベルの正確な決定を行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に撮像画素を構成する多数の光電変換素子をマトリクス状に配置するとともに、前記光電変換素子のうち中央の領域に配置される光電変換素子によって有効撮像領域を構成し、前記有効撮像領域の周辺領域に配置される光電変換素子を遮光膜で遮蔽して無効撮像領域を構成した固体撮像装置において、前記半導体基板は、第1導電型に形成されて深層部に第2導電型のウエル層を有し、前記光電変換素子は、前記半導体基板の表面部に形成された第2導電型の第1不純物領域と、第1不純物領域の深部側に形成された第1導電型の光電変換領域とを有し、さらに前記有効撮像領域の光電変換素子には、前記光電変換領域と第2導電型のウエル層との間に第1導電型の第2不純物領域を設け、かつ、前記無効撮像領域の光電変換素子には、前記光電変換領域と第2導電型のウエル層との間に前記第2不純物領域を設けないようにした、ことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/148 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H04N 5/335 U ,  H04N 5/335 S ,  H01L 27/14 B

Fターム (20件)：

4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA04 ,  4M118CA17 ,  4M118CA18 ,  4M118FA06 ,  4M118FA13 ,  4M118FA26 ,  4M118GA10 ,  4M118GB09 ,  5C024AA01 ,  5C024AA06 ,  5C024CA10 ,  5C024FA01 ,  5C024GA01 ,  5C024GA51 ,  5C024GA52 ,  5C024JA21