特許
J-GLOBAL ID：200903093498463090
有機電界スイッチング素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-324739
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160150
出願日： 1991年12月09日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 固体素子化が容易な電界スイッチング素子を得る。【構成】 酸化還元電位の異なる分子膜13a,13bのヘテロ接合を利用し、この膜のヘテロ接合面に垂直方向に、ヘテロ接合膜13に電界を印加できるように、導電性の上部電極17および絶縁膜14,12をはさんだ導電性の下部電極11(電界印加電極と略す)を形成し、また、ヘテロ接合面に沿った方向にはこの方向の流れる電流を検出するためのソース電極15、ドレイン電極16(電流検出電極と略す)を形成し、電界印加電極に電圧を印加することにより、ヘテロ接合膜内に下部電極11あるいはソース電極14側からキャリア(正孔・電子)が注入でき、電流検出電極間の電流を制御できるように構成する。【効果】 固体素子の一般的なキャリアである電子あるいは正孔であるので、イオンに比べて動作速度が速い有機電界スイッチング素子が得られる。
請求項（抜粋）：
下部電極と、この下部電極の上に部分的に形成された第1の絶縁膜と、この第1の絶縁膜の上に形成され、酸化還元電位の異なる複数の分子膜から成るヘテロ接合膜と、このヘテロ接合膜の上に形成された第2の絶縁膜と、この第2の絶縁膜を貫通して上記ヘテロ接合膜の上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、上記第2の絶縁膜の上に形成された上部電極とを備えたことを特徴とする有機電界スイッチング素子。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 29/28
