特許

J-GLOBAL ID：200903093499235660

希土類系酸化物超電導体の製造方法

発明者： 坂井 直道 ,  村上 雅人 ,  小笠原 慶 ,  石原 大治
出願人/特許権者： 財団法人国際超電導産業技術研究センター ,  東京瓦斯株式会社 ,  石川島播磨重工業株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-158935
公開番号（公開出願番号）：特開2001-342020
出願日： 2000年05月29日
公開日（公表日）： 2001年12月11日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、希土類系酸化物超電導体として高密度であり、高強度のものを製造することができる方法を提供することを目的の1つとする。【解決手段】 本発明は、予め酸素雰囲気下あるいは真空下で予備熱処理した希土類系酸化物超電導体を作製し、その後溶融成長させることを特徴とする。更に本発明は、希土類(RE)系酸化物超電導体の構成元素を含む材料を所定の割合で混合し成型して予備成型体を得、この予備成型体を真空雰囲気中または酸素のみを含む雰囲気中において熱処理して予備焼結体を得た後、この予備焼結体を酸素の発泡しきい値以下の温度で熱分解させた後、溶融成長させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

溶融成長法による希土類(RE)系酸化物超電導体の製造方法において、予め酸素雰囲気下あるいは真空下で予備熱処理した希土類系酸化物超電導体の予備焼結体を作製し、その後溶融成長させることを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。

IPC (4件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C30B 17/00 ,  C30B 29/22 501

FI (4件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  C30B 17/00 ,  C30B 29/22 501 B

Fターム (15件)：

4G047JB03 ,  4G047JB04 ,  4G047JB06 ,  4G047JC02 ,  4G047KC05 ,  4G047KC06 ,  4G047LA02 ,  4G047LB01 ,  4G077AA02 ,  4G077BC53 ,  4G077CD10 ,  4G077EA01 ,  4G077EC05 ,  4G077EC08 ,  4G077HA08