特許

J-GLOBAL ID：200903093502710854

プラズマエッチング方法及び装置

発明者： 飯島 幸夫 ,  岡野 晴雄 ,  石川 吉夫
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-283534
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134906
出願日： 1995年10月31日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】 CH<SB>2 </SB>F<SB>2 </SB>等のハイドロフロロカーボンガスを含む反応性ガスを用いて、SiO<SB>2 </SB>膜とSiN膜から成る積層構造に対してSiO<SB>2 </SB>膜のみを選択的にエッチングするプラズマエッチング方法を提供すること。【解決手段】 プラズマエッチング方法において、反応性ガスとしてハイドロフロロカーボンガスを含むガスを用い、且つ、ハイドロフロロカーボンガスの流量F<SB>1 </SB>(cm<SP>3 </SP>・atm/min)、ノズル40の総断面積S(cm<SP>2 </SP>)、反応容器(30)内におけるハイドロフロロカーボンガスの分圧p<SB>1 </SB>(Torr)、被処理基体(S)とノズル40との間の距離L(cm)、及び、反応性ガスの全圧P(Torr)の間に、F<SB>1 </SB>/(P・p<SB>1 </SB>・S・L)<X(Xはハイドロフロロカーボンガスの種類により定まる定数)なる関係が成り立つようにしたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

反応容器内に設置されたサセプタに被処理基体を配置し、前記反応容器内を所定圧力に減圧し、前記被処理基体に対向する位置に設けられた少なくとも1つのノズルを介して反応性ガスを前記反応容器内に供給すると共に、前記反応容器内に放電プラズマを形成して、前記被処理基体をエッチングするプラズマエッチング方法において、前記反応性ガスとしてハイドロフロロカーボンガスを含むガスを用い、且つ、前記ハイドロフロロカーボンガスの流量F<SB>1 </SB>(cm<SP>3 </SP>・atm/min)、前記ノズルの総断面積S(cm<SP>2 </SP>)、前記反応容器内における前記ハイドロフロロカーボンガスの分圧p<SB>1 </SB>(Torr)、前記被処理基体と前記ノズルとの間の距離L(cm)、及び、前記反応性ガスの全圧P(Torr)の間に、F<SB>1 </SB>/(P・p<SB>1 </SB>・S・L)<X(Xはハイドロフロロカーボンガスの種類により定まる定数)なる関係が成り立つようにしたことを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (3件)：

H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/302 B