特許

J-GLOBAL ID：200903093506740219

半導体記憶装置およびその製造方法

発明者： 松房 次郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-131749
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323677
出願日： 1999年05月12日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】 少ない工程数でメモリセルアレイ領域と周辺回路領域との段差を小さくできる半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 メモリセルは、多孔質の筒部分を有する筒状電極1を有し、周辺回路領域内には、この筒状電極1の高さを緩和するための絶縁層6、20が設けられている。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルを含むメモリセルアレイ領域と、前記メモリセルを制御する素子を含む周辺回路領域とを有する半導体記憶装置であって、前記メモリセルに含まれ、かつ多孔質の筒部分を有する筒状電極と、前記筒状電極による段差を緩和するために前記周辺回路領域にのみ形成された絶縁層とを備えた、半導体記憶装置。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 681 F

Fターム (25件)：

5F083AD24 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083AD61 ,  5F083JA33 ,  5F083JA56 ,  5F083MA01 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR06 ,  5F083PR10 ,  5F083PR21 ,  5F083PR29 ,  5F083PR33 ,  5F083PR38 ,  5F083PR39 ,  5F083PR42 ,  5F083PR52 ,  5F083ZA02 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA14 ,  5F083ZA28