特許
J-GLOBAL ID：200903093507189621
フォトマスクおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-149755
公開番号（公開出願番号）：特開平5-341501
出願日： 1992年06月10日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 低反射膜を有するフォトマスクに関し,化学的に安定な低反射膜を提供し,遮光膜のエッチングを安定化し,さらにレジストの薄膜化,安定化を可能にしてデバイスの微細化に寄与することを目的とする。【構成】 1)透明基板3と,該透明基板の上に順に被着された遮光膜32と表面低反射層33とを有し,該表面低反射層がCr203 を主成分とする酸化クロム膜であるように構成する。2)透明基板3の上に遮光膜32を被着する工程と, 該遮光膜の上にCr203 の組成を有する酸化クロムをターゲットに用いたスパッタリングにより表面低反射層33を被着する工程と,該表面低反射層33および遮光膜32に所望のパターンを形成する工程とを有するように構成する。
請求項（抜粋）：
透明基板(3)と,該透明基板の上に順に被着された遮光膜(32)と該遮光膜より反射率の低い表面低反射層(33)とを有し,該表面低反射層がCr203 を主成分とする酸化クロム膜であることを特徴とするフォトマスク。
IPC (2件)：
引用特許：
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